If you are visually impaired or blind, you can visit the PDF version by Pressing CONTROL + ALT + 4
<br /> <br /> <br /> <br /> 市场领先的<br /> 晶圆级光学器件制造设备<br /> <br /> 纳米压印光刻、透镜成型/堆叠、<br /> 晶圆键合及测量。<br /> 高性能设备与EVG 纳米压印光子技术中心相结合,<br /> 确保短时间投入市场。<br /> 可实现3D /深度传感器、<br /> 生物识别身份验证及 AR / VR显示器。<br /> 请和我们联系,我们关注你们的需求!<br /> www.EVGroup.comEVG® HERCULES® NIL<br /> (右上角) ISSN to be assigned<br /> semiconductorTODAY<br /> 面向亚洲中文读者的化合物及先进硅半导体新闻杂志 A S I A<br /> 2019/2020 第 8 卷第 4 期 www.semiconductor-today.com<br /> NREL 展示了利用<br /> HVPE 实现 AlInP 和<br /> AlGaInP 的首次生长<br /> 3D 成像和传感市场以 20%的复合年增长率增长,2025 年达到 150 亿美元·<br /> 意法半导体和台积电合作加速 GaN 基产品的市场采用·STAr 收购 Accel-RF<br /> Vixar 推出用于 3D 感测的多结 VCSEL 技术·铟镓氮发光二极管的热骤降<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> 市场领先的<br /> 晶圆级光学器件制造设备<br /> <br /> 纳米压印光刻、透镜成型/堆叠、<br /> 晶圆键合及测量。<br /> 高性能设备与EVG 纳米压印光子技术中心相结合,<br /> 确保短时间投入市场。<br /> 可实现3D /深度传感器、<br /> 生物识别身份验证及 AR / VR显示器。<br /> 请和我们联系,我们关注你们的需求!<a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 1" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=1"> 市场领先的 晶圆</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 2" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=2"> (右上角) ISSN to be assigned semiconductorTODAY 面向亚洲</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 3" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=3"> 市场领先的 晶圆</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 4" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=4"> 3 目录 contents 新闻 News 市场 Markets </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 5" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=5"> 4 社论 editorial 欢迎阅读最新一期的《今日半导体亚洲版》 欢迎阅读最新一期的今日</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 6" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=6"> </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 7" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=7"> 6 新闻 news 3D成像和传感市场以20%的复合年增 长率增长, 2025年达到150亿美元 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 8" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=8"> 新闻:市场 News: Markets 7 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 9" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=9"> 8 新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics 意法</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 10" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=10"> 新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics 9 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 11" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=11"> 10 新闻:光电子 News: Optoelectronics Plessey与Axus合作处</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 12" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=12"> 新闻:材料与工艺设备 News: Materials and processing equipm</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 13" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=13"> 12 技术聚焦: 光伏 NREL展示了利用HVPE实现 AlInP和AlGaInP的首次生长 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 14" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=14"> 使用D-HVPE, NREL以前能够用砷化镓 (GaAs) 和磷化铟镓 (GaInP) 制成太阳</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 15" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=15"> 14 技术聚焦: 光电探测器 薄的硅上锗虚拟衬底上的砷化镓 光电探测器 研究人员希望该技术可以扩</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 16" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=16"> 技术聚焦:光电探测器 15 图2:(a) 响应率</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 17" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=17"> 16 技术聚焦:可见光通信 基于铟镓氮μLED实现光电探测器阵列 研究人员实现了2个发射器,2</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 18" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=18"> 光电探测器的直径在40μm和100μm 之间变化。在零偏压下,光/暗电流比 或“光敏度”为109量</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 19" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=19"> 18 技术聚焦:LED制造 铟镓氮发光二极管的热骤降 研究人员认为,高温下的功率损耗主要是由传输</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 20" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=20"> 技术聚焦:LED制造 19 图2: MQW LED中</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 21" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=21"> 20 技术聚焦:GaN HEMT器件 富士通生长金刚石薄膜以提高 GaNHEMT的散热效率 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 22" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=22"> 膜的情况相比, GaNHEMT操作期间产生 的热量减少了约40%, 并且温度可以降低 100℃或更</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2019-2020 (04) page 23" href="http://viewer.zmags.com/publication/194143a2?page=23"> www.semiconductor-today.com </a>