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Zmags
应用于化合物半导体工业生产的解决方案
应用于减薄的和易损的化合物半导体基片的临时键合和键合分离技术
应用于电解质,厚胶和薄胶以及高台阶的喷涂技术
应用于器件构图和高级封装的光刻技术
应用于键合介质层转移和高级封装的晶圆键合技术
如需了解更多产品信息以及下载产品手册,敬请登录 www.evgroup.com/compoundsemi
(右上角) ISSN to be assigned
semiconductorTODAY
面向亚洲中文读者的化合物及先进硅半导体新闻杂志 A S I A
2015 第 4 卷第 3 期 www.semiconductor-today.com
亚利桑那州立展示
了第一支单芯片白
光激光器
Imec扩大硅上氮化镓的研发倡议,联合研究20毫米外延和E型器件·
Cree将其功率和RF分公司命名为Wolfspeed·AXT收购InP衬底制造商Crystacomm
POET 与 Anadigics 达成VCSEL 制造服务协议·台积电终止了 CIGS 光伏制造
Lower Cost LEDs
Faster LED Adoption
Another breakthrough from Veeco. This time it’s EPIK.
Introducing Veeco’s new TurboDisc® EPIK700™ GaN MOCVD system
As global consumption for LED general lighting accelerates, manufacturers need bigger, better
MOCVD technology solutions that increase productivity and lower manufacturing
应用于化合物半导体工业生产的解决方案 应用于减薄的和易损的化合物半导体基片的临时键合和键合分离
(右上角) ISSN to be assigned semiconductorTODAY 面向亚洲
Lower Cost LEDs Faster LED Adoption Another br
3 目录 contents 新闻 News 市场 Markets
4 社论 editorial 欢迎阅读最新一期的《今日半导体亚洲版》 欢迎阅读最新一期的今日
针对高亮度LED 的溅射解决方 案就在这里 想像—下有这样一台溅射设备,它能同时灵活应用于溅镀电流
6 新闻 news QEOS和GlobalFoundries将为毫米波市场提 供一流的CMOS平台
新闻:微电子 News: Microelectronics 7 对于较大直径晶圆的需求将推
8 新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics 英飞
新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics 9 Im
10 新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics C
新闻:宽能隙电子产品 News: Wide-bandgap electronics 11 I
12 新闻:材料与加工设备 News: Materials and processing eq
新闻:LEDs News: LEDs 13 Pick y
14 新闻:材料与加工设备 News: Materials and processing eq
新闻:LEDs News: LEDs 15 ALLOS的150和200mm硅上氮化镓外延技术在
16 新闻:LEDs News: LEDs 首尔半导体大规模生产Wicop发光二极管 韩国
新闻:光电子/光伏 News: Optoelectronics/Photovoltaics 17
18 市场聚焦:功率半导体 如果挑战都克服了,SiC市场将走高而 GaN也将爆炸式增长 Yol
市场聚焦:功率半导体 19 Yole表示, 封装正在成为一个特定 的瓶颈, 但值得庆幸的是,
20 技术聚焦:激光器 亚利桑那州立展示了第一支单芯 片白光激光器 亚利桑那州立大学制作了Z
技术聚焦:激光器 21 在早先意识到这个独特的机会之后, 10多年前Ning的研究团队就开始追求
22 技术聚焦:氮化物工艺 用于氮化镓的化学机械抛光的等 离子体预处理 表面粗糙度降低到1.0
市场聚焦:LED制造 21
24 技术聚焦:氮化物工艺 减少氮化镓感应耦合等离子刻蚀带 来的损伤 工艺在多量子阱的71nm内
技术聚焦:氮化物工艺 25 图2. (a) AGCLD设计的截面示意图, 激射 方向由页面向外
26 技术聚焦:氮化物工艺 硅掺杂氮化镓的中性pH电化学刻蚀 普通食盐和硝酸钠的解决方案使孔具有
技术聚焦:氮化物工艺 27 在具有不同掺杂
28 技术聚焦:氮化物工艺 p-型氮化镓电化学电位激活 该技术可以选择性地拆散镁-氢配合物,阻
在450nm外延晶片上进 行9V 的EPA 10分钟从 p-GaN层减少的氢含量比 标准退火 (
ISSN 1752-2935 (online) semiconductorTODAY COMP