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<br /> 为高亮度LED 的制造生产技术提供最佳解决方案<br /> 光学光刻技术和光刻胶技术工艺运用的最好应用<br /> 纳米光刻压印在图案化蓝宝石基板(PSS) 工艺技术的最好应用<br /> 圆晶键合层转移工艺流程的最好应用<br /> 薄圆晶和弯曲圆晶片的处理操作和工艺流程设计工艺技术的最好应用<br /> 为满足LED 大生产制造的需求，<br /> EVG 集团隆重推出第二代EVG620HBL 光刻系统<br /> EVG 集团隆重推出第二代EVG620HBL 光刻系统<br /> 新一代的高亮度LED 光刻系统 更具有前所未有 的大生产成本优势 EVG®620HBL Gen II<br /> www.EVGroup.com<br /> Beijing Future Speeds, Inc.<br /> Dymek Company Ltd.<br /> （右上角） ISSN to be assigned<br /> semiconductorTODAY<br /> 针对亚洲中文读者的化合物及先进半导体新闻杂志 A S I A<br /> 2012 年 5 月第 1 卷第 2 期 www.semiconductor-today.com<br /> 氮化物和磷化物 LED 的效<br /> 率骤降的解决新方法<br /> NICT 展示了第一个氧化镓<br /> 晶体管<br /> AIXTRON培训示范中心在苏州SINANO成立·台积电太阳能投入生产·<br /> 丰田合成和 SDK 建立 GaN 基 LED 的合资企业·<br /> Oclaro 和 Opnext 合并·Emcore 和三安的合资公司 Suncore 开设工厂<br /> <br /> Light Up the World.<br /> Introducing MaxBright MOCVD System<br /> Veeco: Driving the Future of LED Lighting<a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 1" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=1"> 为高亮度LED 的制造生产技术提供最佳解决方案 光学光刻技术和光刻胶技术工艺运用的最好应用</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 2" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=2"> （右上角） ISSN to be assigned semiconductorTODAY 针对亚洲</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 3" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=3"> Light Up the World. Introducing MaxBright MOCVD S</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 4" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=4"> 3 目录 contents 新闻 News 市场 Markets </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 5" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=5"> 4 社论 editorial 欢迎阅读最新一期的《今日半导体亚洲版》 欢迎阅读最新一期的今日</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 6" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=6"> 5 Industry's largest and most productive </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 7" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=7"> 6 新闻 news 背光和照明应用需求的上升有望削减2012年LED 供过于求的情况 201</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 8" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=8"> 新闻：市场 News: Markets 7 用于生产GaN LED的MOCVD交付量在201</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 9" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=9"> 8 新闻：微电子 News: Microelectronics TriQuint公司在新加坡开</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 10" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=10"> 堓含㒟䱾✛Ⓤ夏 䏶ℽ/('⃚恾 常(9$7(&㒟⃉⇯浧摞ℶ/('堓含ぴ唉䤓↨⇃⅝,72</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 11" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=11"> 10 新闻：材料和工艺设备 News: Materials and processing e</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 12" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=12"> 新闻：材料和工艺设备 News: Materials and processing equip</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 13" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=13"> 12 新闻：材料和工艺设备 News: Materials and processing e</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 14" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=14"> 新闻：材料和工艺设备 News: Materials and processing equip</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 15" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=15"> 14 新闻：LEDs News: LEDs Veeco在签字仪式上确认对韩国研发中心的投资 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 16" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=16"> 新闻：材料与加工设备 News: Materials and processing equip</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 17" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=17"> 16 新闻：LEDs News: LEDs 林德联华中国为Kaistar供应氨气 美国市场</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 18" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=18"> </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 19" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=19"> 18 新闻：LEDs News: LEDs 硅光电子公司Kotura与日本Nissho签署在日</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 20" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=20"> 新闻：LEDs News: LEDs 19 </a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 21" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=21"> 20 新闻： 光通信 News: Optical communications Oclaro</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 22" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=22"> 新闻：光通信 News: Optical communications 21 Oclaro的</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 23" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=23"> 22 新闻： 光通信 News: Optical communications Emcore</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 24" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=24"> 新闻： 光伏 News: Photovoltaics 23 Emcore和三安的合资公司Su</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 25" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=25"> 24 技术聚焦：微电子材料 NICT展示了第一个氧化镓晶体管 高击穿电压和低开关损耗，结合功率</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 26" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=26"> 技术聚焦：微电子材料 8235 潜力，可以使开关操作过程功率损耗 大大减少，使他们适合用作实际的</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 27" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=27"> 26 技术聚焦：氮化物晶体管 三栅极应用于制造常关型氮化物 半导体晶体管 MIT把开/关电流比</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 28" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=28"> 图2.（a）栅电极沉积之前凹入式三栅结构的扫描电子显微镜（SEM）俯视图像;（b）对应 于（a）结</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 29" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=29"> 28 技术聚焦：氮化物晶体管 双异质结的击穿电压加倍 中国的西安电子科技大学展示了AlGaN/</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 30" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=30"> 8.48x1012/cm2。双异质结样品的 2DEG的迁移率为1605cm2/Vs，电 子浓度为1</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 31" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=31"> 30 技术聚焦：氮化物晶体管 具有p-GaN背势垒和凹槽的氮化 物HEMT 韩国研究人员在凹槽栅</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 32" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=32"> 背势垒的一个预期效果是减少缓冲 层泄漏。两独立电极之间的测量表 明，对于具有p-GaN背势垒的异质</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 33" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=33"> 32 技术聚焦：氮化物LEDs 氮化物纳米柱LED发射红外光 日本上智大学展示了具有高铟组分活</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 34" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=34"> 技术聚焦：氮化物LEDs 33 最高掺杂器件的开启电压为1V。 在1mA(30A/cm2)时，电</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 35" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=35"> 34 技术聚焦：氮化物LEDs 绿光LED受益于梯度阻挡 中国科学院的研究人员使用梯度电子阻挡</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 36" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=36"> 技术聚焦：氮化物LEDs 35 压减少了0.38V。研究人员说：“在 活性区的极化场产生了大的三</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 37" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=37"> 36 技术聚焦: LED 氮化物和磷化物LED的效率骤降 的解决新方法 对于氮化物半导体LED</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 38" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=38"> 非常不平衡的情况，移动为 18.3nm，在十倍以上。 不平衡的载流子浓度的另一个效应 是，高电场</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 39" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=39"> 38 技术聚焦: LED 随着温度的升高，空穴数量增加， 高能级注入的发生被延迟，峰值效率 漂移</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 40" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=40"> 图3.实验对正向偏压的依赖，LED具有三个区域。插图：理想因子作为电流的函数，同时 显示了低电流注</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 41" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=41"> 40 技术聚焦: LED 图5.汉阳/RPI/三星的AlGaInPLED的外量子效率随电流的变化，</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 42" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=42"> Advertisers choose Semiconductor Today for its...</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 43" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=43"> 42 市场聚焦：GaN功率电子器件 几年内GaN功率电子市场可能超 过10亿美元， 据市场研究</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 44" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=44"> 市场聚焦：GaN功率电子器件 43 化战略，转换他们现有的过剩的LED 产能到功率电子器件。不过</a> <a title="Semiconductor Today Asia 2012 (2) page 45" href="http://viewer.zmags.com/publication/e9e5be2a?page=45"> Advertisers choose Semiconductor Today for its...</a>