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semiconductorTODAY
面向亚洲中文读者的化合物及先进硅半导体新闻杂志 A S I A
第 9 卷 2020 年 12 月 www.semiconductor-today.com
六角形Ge和SiGe合金
实现直接带隙发光
Si 光子学中首次直接在硅晶圆上生长的无缓冲层 1.5μmIII-V 族激光器·
研究人员发现,随着器件直径低于10μm,绿光LED的效率将比蓝光LED高·
Fraunhofer IAF 将 GaN 晶体管的效率提高到 1-2GHz,创下 77.3%的记录